光刻胶涂布前，硅片表面要尽量洁净、干燥，并具备合适的附着条件。清洗的重点不只是“洗几遍水”，而是按污染物类型处理，再用超纯水漂洗。
一、主要处理四类表面物质
- 颗粒：尘埃、碎屑等颗粒会造成涂胶缺陷。金属颗粒也先按颗粒污染来控制。
- 有机物：油污、有机残留等，通常通过相应溶剂或湿法清洗去除。
- 金属离子：溶解或吸附在表面的金属污染，需要针对离子污染的清洗步骤处理。
- 氧化层：硅片表面的原生氧化层是否去除，要看后续工艺。它不一定是污染物，也不是涂胶前必然要洗掉的东西。
二、常见的涂胶前处理顺序
- 先去颗粒和有机物：新裸硅片或污染较重的晶圆，可能采用 RCA1（SC-1）等清洗；具体方法要依晶圆表面和工艺而定。
- 再处理金属离子：需要时采用 RCA2（SC-2）等步骤。金属颗粒与金属离子形态不同，处理方式也不同。
- 步骤间用 UPW 漂洗：湿法清洗步骤之间及最后一道清洗后，通常用超纯水充分漂洗，降低药液残留和交叉污染。
- 干燥、脱水：晶圆干燥后进行脱水烘烤，去除表面吸附水。
- 按需要做 HMDS，再涂胶：HMDS 用于改善光刻胶附着，是表面预处理，不是清洗步骤。
如果工艺明确要求去除原生氧化层，才会增加相应的氧化层去除步骤；不能把它当作所有晶圆的固定清洗环节。
三、UPW 的“几个 9”怎么理解？
半导体超纯水（UPW）常用电阻率描述，25℃下约为 18.2 MΩ·cm。若把电导率粗略折算成氯化钠等效浓度，约为 25 ppb，可类比为约 7.6 个 9。这个数字只是离子电导率的等效估算，不是 UPW 总杂质含量或验收标准；颗粒、有机物和金属等还要分别测量。
四、UPE 和 UPW 不是一回事
UPW 是清洗和漂洗用的超纯水；UPE 是超高分子量聚乙烯，可制成半导体过滤用滤膜或滤芯。UPE 的分子量等级与滤材洁净度是两件事，也没有通用的“几个 9”纯度说法。半导体应用通常关注金属或有机物析出、颗粒脱落和过滤性能等指标。
一句话：清洗步骤针对不同污染物，UPW负责漂洗，UPE可作为过滤材料；三者在同一条工艺链上各司其职。
