涂光刻胶前，硅片需要清洁、干燥，并具备合适的表面附着条件。可以把前处理简单分成以下几步：
一、涂胶前的清洗顺序
- 去颗粒和有机物：先处理表面颗粒、油污和有机残留。金属颗粒也按颗粒污染控制。
- 去金属离子：后续清洗针对溶解或吸附在表面的金属离子；具体药液和顺序要按晶圆状态与工艺要求确定。
- 超纯水漂洗：湿法清洗步骤之间，以及最后一道清洗后，通常都用超纯水（UPW）充分漂洗，减少药液残留和交叉污染。
- 脱水并改善附着：脱水烘烤去除表面水分；需要时再做 HMDS 处理。两者是涂胶前预处理，不是水洗。
原生氧化层不一定要去除。是否剥除取决于后续工艺，不能把去氧化层当作每片硅片涂胶前的固定步骤。
二、UPW 与 UPE 的区别
- UPW 是水：半导体超纯水常用电阻率描述，25℃下约为 18.2 MΩ·cm。
- “几个 9”只是粗略类比：把电导率折算成氯化钠等效浓度约为 25 ppb，可类比为约 7.6 个 9；这只反映离子电导率，不代表所有杂质的总纯度。
- UPE 是滤材：超高分子量聚乙烯可用于制造半导体过滤滤膜。它没有统一的“几个 9”纯度标准，通常看金属或有机物析出、颗粒脱落等洁净度指标。
简而言之：UPW 是清洗和漂洗用水；UPE 是可用于过滤水或工艺液的聚合物滤材。
